通常，在硅底板上生成GaN膜时，由于GaN与硅的热膨胀率以及晶格常数差异较大，因此容易产生龟裂等缺陷。此次，通过在硅底板上交互堆叠多层AlInGaN与AlInGaN以外的材料作为缓冲层来抑制缺陷的发生。使用同样的手法，日本三垦电气（Sanken
Electric）与名古屋工业大学正在共同开发在硅底板上制作的GaN类LED。三垦电气通过在硅底板上交互堆叠多层AlN和GaN来作为缓冲层。

　　由于硅比蓝宝石更容易吸收光线，所以在此次的蓝色LED缓冲层上设置了反射结构。与蓝宝石相比，硅具有热传导性高的优点，在硅底板上制作的GaN类LED的散热特性会得到提高。与绝缘的蓝宝石不同，由于硅能够导电，因此还具有可将n型电极安装在LED芯片最下部的优点。通常，用蓝宝石底板制成的LED，由于蓝宝石为绝缘体，因此必须将LED的上部削掉一部分以安装n型电极。而采用硅底板，则可取消切削工序，因此预计成品率将得以提高。另外据介绍，由于硅的硬度比蓝宝石以及SiC低，因此容易切割，所以也便于提高成品率。